低歪特性を得るためには、一般に２通りの方法があります。 　　
　１） デバイスそのものが低歪特性を有していること
　２） 大きなパワートランジスタを非常に小さな信号レベルで用いること次世代携帯電話では超低歪特性が要求されるため、低歪なガリウム砒素ＦＥＴ（電界効果型トランジスタ）を大出力化する必要があります。